买卖IC网 >> 产品目录 >> 2N7636-GA 两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

2N7636-GA

库存数量:可订货
制造商:GeneSiC Semiconductor
描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C
RoHS:
详细参数
参数
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产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C
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制造商 GeneSiC Semiconductor
配置
晶体管极性
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
相关资料
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  • 2N7636-GA 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价